高分辨率RDL重布线层光敏材料
N-PSPI (Negative Photo Sensitive Polyimide)是一款适用于 RDL（Redistribution Layer，重布线层）工艺设计的光敏介电材料，具备高分辨率、低固化温度、高Taper Angle开孔及低介电常数等特性。
可通过曝光形成微细结构，适用于WLP、PLP等先进封装结构。
凭借高分辨率与低CTE特性，N-PSPI可满足高速、高频封装对介电层材料的需求。
常见问题与材料要求
当前2.5D／3D IC、AI／HBM及PLP等先进封装工艺，对RDL材料提出以下要求：
- 更精细的线路与孔径
- 更低的介电损耗
- 更高的Taper Angle，有利于金属填孔
- 更低的CTE与更好的材料稳定性
律胜N-PSPI针对上述封装工艺需求开发。
产品特性与效益
| 特性项目 | 说明 | 产品效益 |
|---|---|---|
| 高分辨率 | 5/10、10/10 μm | 提升RDL微细布线精度，支持高密度封装与高速芯片设计 |
| 低温固化 | 200°C | 兼容PLP封装与工艺温度敏感基材，提高工艺适配性 |
| 高Taper Angle | 86.1°～86.9° | 有利于金属填孔并改善通孔成形质量 |
| 低CTE | 17 ppm/°C、37 ppm/°C | 减少热应力，降低封装翘曲与接点疲劳风险 |
| 热稳定性 | Td5% = 332°C | 支持后段电镀、回流焊及封装流程的温度要求 |
| 介电特性 | Dk = 3.3 | 适用于高频、高速传输，帮助降低信号损耗 |
| 机械性能 | 拉伸强度 110 MPa、延伸率 31% | 有助于维持封装结构稳定 |
适用方向
N-PSPI具备高分辨率、高Taper Angle及低CTE等特性，适用于高密度RDL介电层。
产品应用结构
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RDL重布线层应用结构示意图
