Photosensitive Temporary Protection Material
感光耐高温可剥 PSPI
适用于 PCB、载板与半导体先进封装制程的感光型高温暂时保护材料，可透过曝光与显影，一次形成指定的选择性保护区域与开口区域，耐受后续高温与压合制程，完成后可透过碱性剥膜制程去除。
Material Overview
选择性暂时保护，适用多种精密电子制程
感光耐高温可剥 PSPI（Photosensitive Polyimide，感光型 PI）适用于 PCB、载板与半导体先进封装制程中需要局部暂时保护的区域，可依产品结构与制程需求定义保护范围，提供后续高温、压合与加工制程所需的暂时保护。
Confirmed Performance
感光可剥 PSPI 核心性能
高温制程不龟裂
供高温烘烤、压合或相关制程条件的暂时保护稳定性评估。
膜厚范围
涵盖不同段差与保护需求，提供较大的制程调整空间。
干净去除
代表性剥膜条件：NaOH 4%、50°C；实际条件依材料型号、膜厚与制程需求调整。
影像解析能力
支援局部开窗与保护图形定义，适合精细区域制程评估。
Application Paths
依应用产业查看制程内容
材料共通性能相同，实际结构、图形与后续制程则依 PCB 或半导体先进封装应用分区呈现。
APPLICATION 01 — PCB
高温 PCB 制程中的局部暂时保护
针对 Cavity（空腔／凹槽）、台阶／金手指、PP／AD 开窗与光模组等制程，提供局部暂时保护与开窗阻胶应用。
高温 PCB 制程为什么需要可剥 PSPI？
高温压合制程暂时保护
在高温、压合与后续加工过程中，保护指定区域并维持保护层完整且不龟裂。
Cavity 空腔／凹槽防溢胶
针对 Cavity 空腔、凹槽及局部开口区域提供暂时保护，可作为开窗阻胶用途，降低 PP／AD 胶材流入、残胶或污染后续加工区域的风险。
精细图形一次成形
透过曝光、显影，一次形成指定的选择性保护区域与开口区域；相较胶带逐区贴附、裁切与对位，更适合复杂图形与多区域制程。
制程后有效去膜不残留
后续制程完成后，透过碱性剥膜制程去除保护层，降低残膜与后续清洁负担，维持制程稳定性与良率。
感光可剥 PSPI 如何应用于 PCB 制程？
空腔／阻胶保护流程
左右滑动查看完整流程 →
光通讯模组台阶铣槽保护应用
PCB 主要应用
依不同 PCB 结构与制程需求，可应用于 Cavity、台阶、金手指、开窗阻胶与加工毛刺防护等局部保护。
PCB 硬板：Cavity 空腔／凹槽结构暂时保护
适用于具有 Cavity 空腔、局部凹槽或嵌入式结构的 PCB；可剥 PSPI 在压合与后续加工期间暂时保护指定区域，降低 PP／AD 胶材流入、残胶或加工污染风险。
FPC 软板／Rigid-Flex 软硬结合板：台阶／金手指结构暂时保护
适用于台阶结构、金手指、软硬板交界、局部开口及加工毛刺防护等应用。可透过感光图形化一次定义多个保护位置，在压合或后续加工期间降低指定功能区受到胶材、碎屑或加工污染的风险。
APPLICATION 02 — SEMICONDUCTOR
先进封装制程中的 Cavity 空腔暂时保护
在 Cavity（空腔／凹槽）结构与多晶片互连封装制程中，可剥 PSPI 涂布于指定区域，配合后续 Build-up Layer 压合、线路图形化与 Cavity 开孔。完成保护任务后，再依建议条件以碱液溶解除去，供后续 Silicon Bridge 或 μ-Bump 嵌入与组装。
Cavity 空腔开盖结构制程保护流程
左右滑动查看完整流程 →
基板
可剥 PSPI 涂布
增层材料压合
线路图案化／腔体开口
碱液清洗去除可剥 PSPI
硅桥／微凸块嵌入
铜
可剥 PSPI
增层材料／ABF
硅桥／PIC
互连结构
对应的先进封装应用情境
CPO 封装应用
CPO（Co-Packaged Optics）结构中，ASIC 与 EIC 位于封装基板表面并以线路互连；PIC 嵌入 EIC 下方的 Cavity 空腔，形成 EIC–PIC 互连。可剥 PSPI 可在 Cavity 建构与增层压合过程中，对指定区域提供暂时保护。
AI 多晶片封装应用
HBM、SoC 与 ASIC 位于封装基板表面；两组嵌入式硅桥分别跨接 HBM–SoC 与 SoC–ASIC 的晶片边界，形成高密度短距离互连。可剥 PSPI 可在 Si Bridge Cavity 建构与后续制程中，对指定结构与加工区域提供暂时保护。
Technical Data
代表性技术资料
以下为代表性测试资料，实际产品规格与建议制程条件请依产品型号及应用条件确认。
| 测试项目 | 测试条件 | 单位 | 代表值 |
|---|---|---|---|
| 膜厚 | 网印／点胶 | μm | 20–300 |
| 曝光条件 | 波长 365／385／405 nm | mJ/cm² | 200–500 |
| 显影条件 | 1% 碳酸钾（K₂CO₃）或碳酸钠（Na₂CO₃），30°C | sec | 60–120 |
| 解析度 | 圆孔／线宽 | μm | 100 |
| 去膜条件 | NaOH 4.0%、50°C（膜厚 25 μm；固化条件 200°C × 2 hr） | min | 3–5 |
常见问题 FAQ
感光可剥 PSPI 常见技术问题
什么是感光可剥 PSPI？
感光可剥 PSPI 是一种适用于 PCB、载板及半导体先进封装等精密电子制程的感光型暂时保护材料。材料可透过曝光与显影形成指定的选择性保护区域与开口区域，在后续高温、压合或加工制程中提供局部保护，制程完成后再透过碱性剥膜制程去除。
感光可剥 PSPI 的主要特点是什么？
感光可剥 PSPI 结合感光图形化、高温／压合制程耐受性与制程后碱性剥膜三项特性，可依设计形成指定的选择性保护区域与开口区域。适用于 Cavity 空腔／凹槽、台阶、金手指、开窗阻胶及其他局部暂时保护制程。
感光可剥 PSPI 如何形成选择性保护区域？
PSPI 可先均匀涂布于基板表面，再透过光罩曝光与显影形成局部保护图形。
因此可依产品设计，在 Cavity 空腔、局部凹槽、台阶、金手指或其他指定位置形成选择性保护区域，不需要透过人工裁切胶带建立复杂图形。
图形尺寸与解析能力可依膜厚、曝光设备、光罩设计及实际制程需求进行条件优化。
高温或压合后，PSPI 还能干净去除吗？
可以。230°C 为常见压合条件，材料亦可对应更高温制程；实际适用范围可依温度、压力、时间与膜厚等制程条件评估。完成高温或压合制程后，仍可透过碱性剥膜制程去除保护层。
制程完成后如何去除感光可剥 PSPI？
制程完成后，可透过碱性剥膜制程将 PSPI 溶解除去。
材料可配合 PCB／FPC 板厂常见的碱性剥膜设备与制程条件。
以目前代表性测试为例，可使用：
- 4% 氢氧化钠（NaOH）
- 50°C
- 约 3–5 分钟
完成去除。
上述条件为代表性制程参考，并非限定条件。可依客户既有产线、膜厚及前段热历程，调整碱液种类、浓度、温度与处理时间。
除氢氧化钠（NaOH）外，也可依制程需求讨论使用氢氧化钾（KOH）或其他碱性去除系统。
律胜可依客户现有剥膜线与制程条件，协助搭配适合的剥膜参数。
感光可剥 PSPI 与一般 PI 保护胶带有什么不同？
PI 保护胶带通常透过贴附、裁切或模切形成保护区域；感光可剥 PSPI 则可透过曝光与显影，一次形成多个指定的选择性保护区域与开口区域。对于 Cavity 空腔／凹槽、台阶、金手指或多个局部保护位置，可减少逐区贴附、裁切与对位作业。制程完成后，PSPI 可透过碱性剥膜制程去除，而 PI 胶带通常以物理撕除。
感光可剥 PSPI 适合哪些 PCB 制程？
感光可剥 PSPI 可应用于多种 PCB 暂时保护制程，包括：
- Cavity 空腔／凹槽结构暂时保护
- 台阶／金手指及局部区域保护
- PP／AD 开窗阻胶
- 多材料堆叠与压合制程中的选择性保护
- 光模组相关局部保护
- 切割或加工毛刺相关保护
- 需要高温后再去除保护层的制程
针对不同基板材料、膜厚、图形尺寸及后续制程条件，可进一步进行材料与制程匹配。
什么是 PCB Cavity（空腔／凹槽）？
PCB Cavity 是在电路板或封装基板中形成的局部凹陷或空腔区域，可用于容纳晶片、嵌入式元件或建立局部阶差结构。
制程中可使用可剥 PSPI 定义需要暂时保护的空腔或凹槽位置，完成压合、加工或高温步骤后，再依建议条件以碱液溶解除去。
感光可剥 PSPI 可以应用于 Cavity 空腔或 PP／AD 开窗吗？
可以。
感光可剥 PSPI 可应用于Cavity 空腔／凹槽结构暂时保护，以及 PP／AD 开窗阻胶。
由于材料可透过曝光与显影形成指定图形，因此能依开窗位置与保护范围精确定义图形，相较人工贴附与裁切胶带，更适合需要多区域、复杂形状或高精度对位的保护需求。
评估时可提供 Cavity 空腔深度、开窗尺寸、目标膜厚、压合温度、压力与时间等条件，律胜可协助进行制程设定。
感光可剥 PSPI 可以应用于半导体、载板或封装基板制程吗？
可以。
感光可剥 PSPI 可应用于半导体、载板及封装基板制程中的选择性暂时保护。
材料可透过曝光与显影形成指定保护区域，并在后续高温、压合或多材料堆叠制程中提供局部保护；制程完成后，再以碱性剥膜液将保护层去除。
因此适合需要：
- 精细图形化保护
- 局部开窗
- 多区域选择性保护
- 高温或压合后再去除
- 与既有湿制程整合
的半导体、载板与封装基板制程。
律胜可依基板结构、膜厚、热历程及后续制程，协助搭配适合的材料与制程条件。
评估感光可剥 PSPI 时需要提供哪些制程条件？
为了更快进行材料与制程匹配，建议提供：
- 应用领域与基板种类
- 保护位置与结构
- 开窗／保护区域尺寸
- 目标膜厚
- 最高制程温度
- 压合压力与时间
- 后续化学或加工制程
- PSPI 预计去除阶段
- 现有剥膜设备与碱液条件
律胜科技可依上述条件提供材料选择、制程设定及剥膜条件建议，协助客户导入既有制程。
Process Evaluation
正在评估高温暂时保护或感光可剥 PSPI 制程？
请提供关键制程条件，让律胜团队依实际结构与加工需求评估材料与建议条件。
- 应用领域／基板类型
- 制程温度
- 目标膜厚
- 开窗／保护尺寸
- 后续制程条件
Technical Evaluation Process
送出需求后的评估流程
从制程条件确认、材料选择到测试方向建议，协助客户进行初步材料与制程评估。
提交制程需求
提供应用领域、基板、制程温度、膜厚与保护尺寸等关键条件。
确认应用条件
依结构、图形与后续制程，确认材料及测试条件。
提供评估方向
提出适用产品与后续测试方向，供工程验证与讨论。
